据汇报，有望在下月进行65纳米制程试生产。”
似乎知道方年会有疑惑，说到这里，温叶特地补充了几句：“DUV浸入式光刻实际上一直可以支持到7纳米制程的光刻；
根据晶圆试验线的负责教授解释：
传统国际半导体技术蓝图定义光刻制程技术节点的是最小金属间距。
又根据一个瑞利公式：CD=K1×（λ/NA），降低波长λ，提高镜头的数值孔径NA，降低综合因素K1，即可不断演进光刻制程。
DUV激光光源从90年代末至今就一直是停滞在193nm波长；
不过有人提出了新的方案，一个工程上很简单的办法，在晶圆光刻胶上加1mm厚的水，水可以把193nm的光波长折射成134nm，再做到半周期65nm；
总之……
晶圆实验室的教授很有信心保证能在较短时间内突破至65纳米光刻，之后可能会漫长一点，但也不会是太久远的事情。”
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